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4月13日,长江存储宣布,该公司跳过96层,成功研发128层QLC3D NAND闪存(型号:X2-6070),并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储一期生产线月产能10万片,今年以来产能一直在爬坡。对于量产时间,长江存储向观察者网透露,配合前述产能,128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。

去年9月,长江存储已开始量产基于Xtacking®架构的中国首款64层3D NAND闪存。对此,该公司指出,作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

据介绍,QLC是继TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking®2.0时代的到来,长江存储有决心,有实力,有能力开创一个崭新的商业生态,让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势,达到互利共赢。”

此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060)。

实现1.6Gbps传输速率

据长江存储介绍,得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化,其64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现,上市之后广受好评。

在长江存储128层系列产品中,Xtacking®已全面升级至2.0,进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的数据传输速率,为当前业界最高。

长江存储表示,由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺,CMOS电路可选用更先进的制程,同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来,长江存储将与合作伙伴携手,构建定制化NAND商业生态,共同推动产业繁荣发展。

该公司指出,其通过对技术创新的持续投入,已成功研发128层两款产品,并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking®架构的前瞻性和成熟度,为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。

龚翊表示:“我们相信,长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值,具有广阔的市场应用前景。其中,128层QLC版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”

容量超64层芯片5倍

长江存储介绍,QLC是继TLC(3 bit/cell)后3D NAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间,每个房间住4“人”,共可容纳约14660亿“人”居住,是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为:“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上,QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示:“与传统HDD相比,QLC SSD更具性能优势。在企业级领域, QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算,机器学习,实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域,QLC将率先在大容量U盘,闪存卡和SSD中普及。”

10218 7个月前(04-13) RAM

作者:作者:PETE SINGER(由半导体行业观察(icbank)编译自「semiconductor-digest」)

内存是计算机系统设计中的重要主题。在IMEC,我们为独立以及嵌入式应用程序开发了多种新兴的内存技术。包括用于高速缓存级应用的MRAM技术,改进DRAM设备的新方法,填补了DRAM和NAND技术之间空白的新兴存储器,用于改进3D-NAND存储设备的解决方案以及用于归档类型应用的革命性解决方案,以满足未来Zettabyte时代的内存需求。

在本文中,我将只使用基于动态随机存取存储器(DRAM)的存储器,该存储器通常用作计算机系统中的主内存。对于这种类型的内存,我想从架构的角度出发,以便更全面地认识它们。在提供了一些背景信息之后,我将研究不同的内存标准及其年代,以确定一些常见的趋势和瓶颈。

在探究不同的DRAM之前,让我们基于O. Mutlu教授的演讲,从基础知识开始入手。

背景

存储单元:任何存储器都是使用存储单元建立的,这是一种半导体结构,仅存储1位,因此得名。对于DRAM存储器,存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器用于存储电荷,晶体管用于访问电容器,可以读取存储了多少电荷,也可以存储新的电荷。字线(wordline)始终连接到晶体管栅极,控制对电容器的访问。位线(bitline)连接到晶体管的源极,可读取存储在电池中的电荷,或在向电池写入新值时提供电压。这种基本结构非常简单且体积小,因此制造商可以在模具上加工大量此类材料。一个缺点是单个晶体管不能很好地将电荷保持在小电容器中。它将使电流从电容器泄漏或流向电容器,从而随着时间的流逝而失去其明确定义的充电状态。通过定期刷新DRAM存储器可以避免此问题,这意味着读取存储器的内容并将其重新写回。细心的读者可能还注意到,当从电容器读取电荷时,电荷消失了。从DRAM单元读取值后,应再次写入该值。这就是将DRAM命名为“动态”的原因。

存储单元可组合成大型的矩阵状结构。长字线和位线彼此交叉,并且在每个交点处处理一个存储单元。在字线上施加电压会选择所有对应的单元,这会将它们的电荷置于各自的位线上。该电荷将非常轻微地改变每个位线的电压。使用感测放大器可检测到这种轻微变化,该结构将电压的小正变化放大到高电压(代表逻辑1),并将电压的小负变化放大到零电压(代表逻辑0)。读出放大器将逻辑值存储到称为行缓冲的存储器结构中。行缓冲的作用就像是一个高速缓存,其中保存的值只能是从单个字线上的存储单元中读取的值,这个值在被读取后会在该存储单元中消失。传感过程本质上是一个缓慢的过程,电容器越小且位线越长,该过程花费的时间就越长。该传感时间决定了DRAM访问时间,在过去的几十年中,它一直保持着相同的值。每一代DRAM的可用带宽不断增加,是通过增加DRAM芯片中的并行性实现的,而不是通过减少单元访问时间来实现的。但是,在深入探讨这个问题之前,让我们看一下如何使用大量这些存储单元来构建内存系统。我在这里描述的体系结构是针对使用内存模块的典型桌面系统的。但对于其他DRAM类型,或不使用模块的大多数架构,也可以用相同的术语来描述。

被用于处理器上的DRAM中有一部分逻辑专用于存储控制器。这个逻辑负责处理从CPU到主存的所有访问。处理器可以具有多个内存控制器。内存控制器具有1个或多个内存通道。每个存储通道均由命令/地址总线和数据总线(默认情况下为64位宽)组成。我们可以在该通道上连接1个或多个内存模块。每个内存模块由1或2个 rank组成。rank包含许多DRAM芯片,这些芯片组合在一起可以在每个周期内提供足够的bit以填充数据总线。在正常情况下,数据总线为64 bits,每个芯片提供8bits(所谓的x8芯片),一个rank将包含8个芯片。如果超过一个rank,则rank在同一总线上是多路复用的,因此它们不能同时将数据放入总线。每个rank芯片都是同步运行的,这意味着它们始终执行的是完全相同的命令,因此无法单独寻址。这对于以下内容很重要:每个芯片由几个存储体(memory bank)组成,如前文所述,这些存储体是由具有字线、位线、读出放大器和行缓冲区的大矩阵位单元组成的。由于每个芯片都是由排列整齐的芯片组成,因此“存储体”一词也可以指同一rank的8个芯片上的8个bank。在第一种情况下,我们可能会使用“physical bank”这个术语,而在后一种情况下,我们更倾向于使用“ logical bank ”这个术语,但这个术语在文献中的定义不是很明确。

虽然内存库中还存在着更小的结构,但在本文中我不讨论它们。借助所有先前的术语,我们现在可以讨论不同的DRAM类型和世代,以及它们如何相互改进。再次,让我们首先从用于PC的常规DRAM模块开始。

DRAM标准

常规DDR DRAM内存已经存在很长时间了,但是我不会为您提供完整的历史。我将很快回顾单数据速率(SDR)存储器,然后再介绍双倍数据速率(DDR)。关于SDR,我们需要了解的是接口和数据总线的时钟(IO时钟)与内部存储器的频率(内部时钟)相同。这种存储器会受导其内部存储器访问速度的限制。

第一代DDR旨在在每个IO时钟周期内传输两个数据字,第一个字在时钟的上升沿,另一个在时钟的下降沿。设计师通过引入预取的概念来做到这一点。在DRAM bank和输出电路之间插入了一个预取缓冲器。它是一个小型缓冲器,可以存储原始SDR设计中每个周期要放在总线上的位数的2倍。如果是x8芯片,则预取缓冲区的大小为16位。我们称其为2n 预取缓冲区。在完整的DRAM row(例如2k column)的单个内部读取周期中,有足够多的数据来填充此预取缓冲区。在该预取缓冲区中,有足够的数据在时钟的两个边沿上用一个字填充总线。

DDR2采用了相同的预取思想,现在预取缓冲区为4n。与内部时钟相比,这使设计人员可以将IO时钟加倍,并且仍然在每个周期将数据填充到数据总线中。DDR3进一步推动了同样的想法,再次将预取(8n)和IO时钟加倍,现在是内部存储器时钟的4倍。

但是,我们继续按照这种方法进行推进,存在着一定的局限性。将预取缓冲区再加倍至16n,则意味着对于每个读取命令,将有16倍64 bit向处理器传输。这是高速缓存线路(用于处理器缓存的基本数据单元)的两倍大小。如果只有一条高速缓存线路包含有用的数据,那么传输第二条高速缓存线路将会浪费大量的时间和精力。因此,DDR4没有将预取加倍,而是应用了另一种技术:存储体分组。该技术引入了多组bank,每组都有自己的8n预取缓冲器,通过一个多路复用器从正确的组中选择输出。如果来自控制器的内存请求被交错,以便它们在连续的请求中访问不同的组,则IO速度可以再次加倍,现在是内部时钟速度的8倍。

那么,DDR5的下一步是什么呢?DDR5还旨在使IO速度提高一倍?嗯,DDR5的目的是借用LPDDR4中已经实现的一种技术,我们称之为通道拆分。64位总线分为2个独立的32位通道。由于每个通道现在仅提供32 bit,因此我们可以将预取增加到16n,这将使得访问粒度达到64字节,正好等于高速缓存线的大小。预取的增加再次允许更高的IO时钟速度。

但提高IO时钟速度并不容易。与高频信号有关的多个挑战已显现出来,例如信号完整性,噪声和功耗。这些可以通过几种技术来解决,例如片上终止、差分时钟以及与处理器进行更紧密的内存集成(表1)。这些技术主要源自其他DRAM类型,即LPDDR和GDDR,但我将更加关注于集成。

LPDDR LPDDR代表低功耗双倍数据速率。顾名思义,该标准的主要思想是降低内存的功耗。这可以通过多种方式完成。

常规内存的第一个区别是内存与处理器的连接方式。LPDDR存储器与处理器紧密集成在一起,或者焊接在主板上,靠近CPU,或者它直接在处理器(在这种情况下,通常是SoC)的顶部以 package-on-package封装的形式实现,这种形式越来越常见。紧密的集成可减少将内存连接到处理器的长导线中的电阻,从而降低功耗。

第二个区别是通道宽度。LPDDR存储器没有固定的总线宽度,尽管最常见的是32位总线。与常规存储器相比,这是一条较小的总线,可节省功耗。同样,在存储器中使用较低的电压,这也对功耗产生很大的影响。最终,通过各种方式优化刷新操作,例如温控调整的刷新,部分阵列自刷新,深度掉电状态等等,大大降低了LPDDR存储器的存储器待机功耗。我现在不会更深入地研究这些技术,但是通常它们会在一些响应时间和较低的待机功耗之间进行权衡,使其从更省电的状态中“醒来”。

表2显示了LPDDR存储器的世代变化,实现了与上一节中讨论的相同的技术来提高性能。但是,LPDDR4是引入16n预取和通道分割的第一个标准,而LPDDR5有望成为引入bank分组的第一个LPDDR标准。

GDDR GDDR代表图形两倍数据速率,这意味着该标准适用于图形卡中使用的内存。如今,它们对于任何具有高带宽需求的应用都很有兴趣,因为这是他们关注的重点。通过焊接在PCB上,GDDR内存也与处理器(在本例中为图形处理器)达成了紧密集成。这些不是在GPU之上实现的,因为在这种情况下将很难达到所需的容量,此外,在这种情况下也很难进行散热。与典型的DDR芯片(例如32位)相比,每个GDDR芯片具有更大的宽度,并且每个芯片直接连接到GPU,而无需在固定的64位大小的总线上进行多路复用。这意味着在图形卡上具有更多的GDDR芯片,也意味着具有更大的总线。消除连接的多路复用还可以提高这些连接的频率,从而在GDDR存储器中实现更高的IO时钟频率。通过使用较小的存储器阵列和较大的外围设备,可以通过提高内部读取速度来实现更高的IO时钟速度,从而降低GDDR芯片的存储密度。紧密的集成意味着图形卡的最终容量将受到更大的限制,因为只有12个GDDR芯片可以紧密地安装在大型GPU周围。

在整个GDDR代(表3)中,使用与DDR中相同的技术来提高内存带宽。第一个GDDR标准是基于DDR的GDDR2。GDDR3基于DDR2。GDDR4几乎不存在,可以跳过此处。GDDR5基于DDR3,并且在过去一段时间中非常流行。它实现了差分时钟,可以一次打开两个内存页面。GDDR5X是GDDR5的中代性能增强,它引入了具有16n预取的四倍数据速率(QDR)模式,但代价是访问粒度更大,这对于GPU来说不成问题。然后,GDDR6与LPDDR4一样使用了拆分通道。这在同一总线上提供了两个独立的较小通道,从而实现了较小的访问粒度,从而成为16n预取QDR模式的标准。这意味着GDDR6可能更恰当地命名为GQDR6。

3D革命

先前讨论的所有事情都发生了,而目前没有发生任何3D革命。3D在半导体术语中可能有很多含义,但目前它主要是指使用硅通孔(TSV),它们是管芯中的垂直互连,可以使用管芯之间的微凸点进行连接。现在,两个彼此叠置的管芯可以与许多非常小的垂直互连进行通信。这是全新的设计和体系结构。与前面讨论的DRAM类型相结合。最著名的是高带宽内存(HBM),它是GDDR的3D对应物。混合存储立方体(HMC)是一种被提议的3D模型,按照计划,它可用于与通用DDR类似的应用,由美光公司开发,但在2018年被取消。宽I / O是三星推动的JEDEC标准,是用于SoC中LPDDR存储器的3D对应物,但我还没有听说过真正实现的消息。

HBM

HBM与GDDR有很多共同点。内存芯片也与GPU紧密集成。它们也没有放在GPU之上,因为我们仍然需要大量的容量,并且需要散热芯片。

那有什么不同呢?首先,不是将内存芯片放置在靠近GPU的PCB上,而是把它们放在将芯片与GPU连接的插入器上(图5)。如今,通常使用无源硅中介层,它是一个大型硅芯片,但没有任何有源组件:它仅具有互连。这种插入器的优点是我们可以在其上面进行更多的并行互连,而这些互连不需要消耗大量的功耗。因此,可以创建非常宽的总线,这在PCB上是不可能的。这种插入器虽然很容易创建,但仍然是一块很大的硅片,因此成本更高。

其次,可以堆叠存储芯片,从而在水平面上的小区域实现高容量(图6)。这些芯片具有大量的TSV,将堆栈中的芯片彼此连接,逻辑芯片位于底部。然后,该逻辑管芯再次与中介层上的宽总线连接,从而实现了存储芯片和GPU之间的高带宽。实际上,总线足够宽,可以将存储芯片的IO时钟放宽到较低的频率。这样,再加上与GPU的非常短的互连,可以在使用HBM时,将每bit的功耗降至更低(约3倍)。

表4列出了HBM一代的一些关键规格。当前,HBM2存储器可用。有趣的是,三星最近发布了HBM2e内存,该芯片的芯片规格更高,每个管芯的容量更大(16Gb),数据传输速率更高(每个堆栈410 GB / s)。

HMC

尽管美光公司取消了在HMC标准上的推动,但我还是要说几句话。HMC是常规DDR存储器的3D对应物,在未来的服务器中可能会备受欢迎。这种看法在行业中并不是很明确。HBM实际上专注于带宽,它需要紧密集成,权衡容量和可扩展性。这称为近存储器。HMC专注于容量,可以轻松地将更多内存堆栈插入服务器,就像将更多DDR内存轻松插入具有空闲插槽的主板一样。它提供了高系统总存储容量所需的松散集成。有时称为远存储器。

除了这种相似性之外,HMC是与DDR差别最大的标准,比本文中提到的任何其他标准都要大。它使用的不是DDR信号,而是使用内存包来进行处理器和内存块之间的高速串行链路发送。通过这种方式,可以在有限的互连条件下实现更高的容量。而且,内存控制器可以完全集成在每个立方体的基础芯片中,而不是像DDR一样位于CPU芯片上,或者像HBM一样分布在GPU和内存堆栈上(图8)。

宽I / O是LPDDR存储器的3D对应物,它选择了集成以达到可能的最低功耗。预计这些存储器将使用TSV直接连接到CPU芯片,直接集成在SoC之上。同样,根据TSV技术的密度和大小,实现很宽的总线也是可能的。但是,这种集成也将需要SoC中的TSV,这会消耗大量宝贵的逻辑区域,因此非常昂贵。这可能是为什么我尚未看到使用此技术的任何商业产品的重要原因。有趣的是,第一个Wide I / O标准实现了SDR接口,但是第二代标准则又转向了DDR接口。

结论

希望您已经了解了更多不同的DRAM。最后,每个标准都实施了相同的思想以提高每一代的带宽,包括诸如更大的预取缓冲区,存储体分组,通道划分,差分时钟,命令总线优化和刷新优化之类的技术。每个标准都有自己的重点——第一类是关注容量和灵活集成(DDR和HMC),第二类是着重于最低功耗(LPDDR和Wide I / O),第三类的重点则在于最高带宽(GDDR和HBM)。

有趣的是,对于每个目标市场,3D技术为该表带来了什么。3D集成允许宽总线和低电阻,低噪声的互连。尽管技术和收益是革命性的,但在大多数情况下,架构原理和权衡实际上并没有太大不同。

10183 7个月前(04-13) RAM
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大学辅导员先进事迹材料┆范文16887┆专题┆先进事迹 铁路运输司机先进事迹材料┆范文12300┆专题┆先进事迹 小学科技辅导员先进事迹材料┆范文14603┆专题┆先进事迹 银行服务事迹┆范文10022┆专题┆先进事迹 大客车司机先进事迹材料┆范文11265┆专题┆先进事迹 消防志愿者先进事迹材料┆范文14900┆专题┆先进事迹 公交驾驶员先进事迹:用奉献诠释人生┆范文16331┆专题┆先进事迹 医院急诊科先进事迹材料┆范文14235┆专题┆先进事迹 女审判员的先进事迹材料┆范文16276┆专题┆先进事迹 城区民政局优抚安置股股长事迹材料┆范文19067┆专题┆先进事迹 公交车司机先进事迹┆范文11955┆专题┆先进事迹 审批中心先进事迹材料┆范文15460┆专题┆先进事迹 记张岗村妇女主任人民调解员先进事迹┆范文18058┆专题┆先进事迹 财务部长先进事迹┆范文14030┆专题┆先进事迹 地税局先进科室事迹材料┆范文11209┆专题┆先进事迹 人民银行国库会计股股长先进事迹材料┆范文13806┆专题┆先进事迹 安全班组先进事迹┆范文10084┆专题┆先进事迹 民营企业家创业先进事迹┆范文18744┆专题┆先进事迹 银行服务标兵事迹┆范文18283┆专题┆先进事迹 优秀电力机车司机先进事迹┆范文18014┆专题┆先进事迹 优秀调度员的事迹材料┆范文12746┆专题┆先进事迹 信用社保安先进事迹┆范文18521┆专题┆先进事迹 盲校校长的先进事迹材料┆范文12569┆专题┆先进事迹 客户手机号身份信息有误,123银行拒绝为其开卡┆范文15169┆行业-银行金融┆银行网讯 行政审批服务中心先进事迹材料┆范文19558┆专题┆先进事迹 客户服务部先进事迹材料┆范文17917┆专题┆先进事迹 教师个人先进事迹┆范文15636┆专题┆先进事迹 先进性教育个人先进事迹材料报告┆范文13243┆专题┆先进事迹 一名女法官的先进事迹材料┆范文19554┆专题┆先进事迹 银行员工感人事迹┆范文17355┆专题┆先进事迹 水库管理局先进事迹材料┆范文13408┆专题┆先进事迹 保安公司总经理先进事迹┆范文19964┆专题┆先进事迹 龙门吊司机的先进事迹材料┆范文12757┆专题┆先进事迹 公安局调度室股长先进事迹材料┆范文10989┆专题┆先进事迹 保安先进事迹总结┆范文19440┆专题┆先进事迹 体育教师先进事迹┆范文18892┆专题┆先进事迹 电力机车司机先进事迹材料┆范文17130┆专题┆先进事迹 化肥厂优秀员工先进事迹材料┆范文14280┆专题┆先进事迹 一名班主任先进事迹材料┆范文17506┆专题┆先进事迹 农民工学校校长先进事迹材料┆范文17118┆专题┆先进事迹 再就业先进个人事迹材料范文┆范文15056┆专题┆先进事迹 银行房地产信贷经理先进的事迹材料┆范文17664┆专题┆先进事迹 感染科护士先进事迹材料┆范文14602┆专题┆先进事迹 福建省的优秀邮递员代表先进事迹材料┆范文16521┆专题┆先进事迹 文化执法队先进事迹材料┆范文13524┆专题┆先进事迹 教师先进事迹范文┆范文15410┆专题┆先进事迹 社区个人先进事迹┆范文12537┆专题┆先进事迹 山西省优秀班主任事迹材料┆范文10572┆专题┆先进事迹 人口普查员先进优秀个人事迹材料┆范文15222┆专题┆先进事迹 财务管理先进事迹┆范文11810┆专题┆先进事迹 军人英雄事迹┆范文17510┆专题┆先进事迹 教育系统办公室主任先进事迹材料┆范文13510┆专题┆先进事迹 银行巾帼文明岗事迹材料┆范文15537┆专题┆先进事迹 人民法院副院长先进事迹材料┆范文13699┆专题┆先进事迹 班组先进事迹范文┆范文16813┆专题┆先进事迹 优秀司机个人先进事迹范文┆范文16206┆专题┆先进事迹 数控班长先进事迹材料┆范文18799┆专题┆先进事迹 社区先进事迹┆范文11186┆专题┆先进事迹 军人先进典型┆范文16644┆专题┆先进事迹 退伍军人创业事迹┆范文18082┆专题┆先进事迹 复原军人先进事迹材料┆范文15795┆专题┆先进事迹 五官科护士先进事迹材料┆范文15282┆专题┆先进事迹 感人护士先进事迹材料┆范文13649┆专题┆先进事迹 驾驶员先进事迹材料范文┆范文14892┆专题┆先进事迹 财务工作先进个人事迹材料┆范文13510┆专题┆先进事迹 车站检票科先进事迹材料┆范文17450┆专题┆先进事迹 食品公司车间主任事迹材料┆范文14823┆专题┆先进事迹 社区护士先进事迹┆范文13644┆专题┆先进事迹 志愿者先进事迹材料范文┆范文14521┆专题┆先进事迹 医院普外科先进事迹材料┆范文19225┆专题┆先进事迹 保安经理先进事迹┆范文17423┆专题┆先进事迹 高龄护士先进事迹材料┆范文18510┆专题┆先进事迹 银行理财经理事迹┆范文11314┆专题┆先进事迹 业务部调度的先进事迹材料┆范文19719┆专题┆先进事迹 银行大堂经理事迹┆范文10556┆专题┆先进事迹 刑事庭女庭长先进事迹材料┆范文19557┆专题┆先进事迹 教师先进事迹演讲稿范文┆范文11907┆专题┆先进事迹 财务个人先进事迹报告┆范文16099┆专题┆先进事迹 邮政部门个人先进事迹材料范文┆范文14440┆专题┆先进事迹 法院女院长的先进事迹材料┆范文12039┆专题┆先进事迹 优秀志愿者个人事迹材料┆范文12101┆专题┆先进事迹 财政局社会保障股股长为民办实事先进个人材料┆范文11113┆专题┆先进事迹 邮政先进个人事迹┆范文15304┆专题┆先进事迹 一名庭长的先进事迹材料┆范文13864┆专题┆先进事迹 财务干部先进事迹┆范文10361┆专题┆先进事迹 退伍军人事迹材料范文┆范文14681┆专题┆先进事迹 龙门吊司机先进事迹材料┆范文17969┆专题┆先进事迹 先进班组的事迹材料┆范文11163┆专题┆先进事迹 银行营销事迹材料┆范文12964┆专题┆先进事迹 社区先进事迹材料范文┆范文14395┆专题┆先进事迹 邮政党员先进事迹┆范文11608┆专题┆先进事迹 社区团支部先进事迹┆范文18470┆专题┆先进事迹 班组先进事迹材料报告┆范文19702┆专题┆先进事迹 财政局国库股股长先进工作者事迹材料┆范文12531┆专题┆先进事迹 铁路运输中心作业区副班长先进事迹材料┆范文13812┆专题┆先进事迹 银行青年岗位能手事迹材料┆范文16600┆专题┆先进事迹 环卫清扫班组的先进事迹材料┆范文10465┆专题┆先进事迹 某学校科室创先争优活动┆范文12504┆专题┆先进事迹 巴士公司质检部先进事迹材料┆范文16817┆专题┆先进事迹 班组简要事迹┆范文10061┆专题┆先进事迹 街道人民调解员先进事迹材料┆范文12360┆专题┆先进事迹 情报所代码室先进事迹材料┆范文14934┆专题┆先进事迹 致富女能手事迹材料┆范文19973┆专题┆先进事迹 学习张丽莉的诗歌朗诵稿┆范文14275┆专题┆先进事迹 区民政局优抚股股长事迹材料┆范文19721┆专题┆先进事迹 公诉科科长的先进事迹材料┆范文14467┆专题┆先进事迹 学校教导处先进事迹材料┆范文12580┆专题┆先进事迹 银行客户经理事迹┆范文16667┆专题┆先进事迹 保安员个人先进事迹┆范文18404┆专题┆先进事迹 大学教授的先进事迹材料┆范文12611┆专题┆先进事迹 保安大队长先进事迹┆范文19912┆专题┆先进事迹 护理部主任先进事迹材料┆范文13489┆专题┆先进事迹 酒店保安先进事迹┆范文15283┆专题┆先进事迹 女教师的先进事迹材料┆范文19284┆专题┆先进事迹 中院院长先进事迹材料┆范文16839┆专题┆先进事迹 班组先进材料┆范文16216┆专题┆先进事迹 教师个人先进事迹材料报告┆范文12145┆专题┆先进事迹 工商局市场股股长先进事迹材料┆范文12675┆专题┆先进事迹 邮政营业员先进事迹┆范文18692┆专题┆先进事迹 女环卫工作者先进事迹材料┆范文12638┆专题┆先进事迹 国际护士节优秀护士先进事迹材料┆范文15828┆专题┆先进事迹 普通班主任的先进事迹材料┆范文11086┆专题┆先进事迹 人民医院优秀护士先进事迹材料┆范文12551┆专题┆先进事迹 先进班组事迹┆范文14509┆专题┆先进事迹 金融系统五一劳动奖章获得者先进事迹┆范文12482┆专题┆先进事迹 急诊科护士长先进事迹材料┆范文19077┆专题┆先进事迹 小车司机先进事迹范文┆范文15868┆专题┆先进事迹 支教女孩先进事迹材料┆范文12349┆专题┆先进事迹 皮肤病医院护士先进事迹材料┆范文15385┆专题┆先进事迹 安全调度员的优秀先进事迹材料┆范文19799┆专题┆先进事迹 农业银行ABC支行换新开业,进一步提升创新服务目标┆范文14426┆行业-银行金融┆银行网讯 邮政投递员先进事迹报告┆范文11846┆专题┆先进事迹 附属医院护士先进事迹材料┆范文11893┆专题┆先进事迹 医院财务科长先进事迹┆范文13340┆专题┆先进事迹 邮政先进事迹┆范文18709┆专题┆先进事迹 优秀驾驶员先进事迹┆范文17077┆专题┆先进事迹 质监所业务大厅先进事迹材料┆范文14604┆专题┆先进事迹 一名矿区调度员先进事迹材料┆范文11756┆专题┆先进事迹 党员志愿者先进事迹材料┆范文15815┆专题┆先进事迹 驾驶员的先进事迹材料┆范文16318┆专题┆先进事迹 门诊部“文明科室”事迹材料┆范文18469┆专题┆先进事迹 十佳师德标兵事迹材料┆范文12094┆专题┆先进事迹 志愿者的先进事迹┆范文13826┆专题┆先进事迹 保安主管先进事迹┆范文16202┆专题┆先进事迹 青年志愿者,个人先进事迹┆范文13625┆专题┆先进事迹 驾驶员同志先进事迹材料┆范文16749┆专题┆先进事迹 某中学班主任的先进事迹材料┆范文11399┆专题┆先进事迹 女班主任先进事迹材料┆范文18914┆专题┆先进事迹 党支部警示教育会 普通党员受教育的心得体会┆范文14940┆行业-中小企业┆发言致辞 大客司机先进事迹材料┆范文19231┆专题┆先进事迹 社区志愿者先进事迹报告┆范文11678┆专题┆先进事迹 政府司机个人先进事迹材料┆范文14403┆专题┆先进事迹 分局事迹材料┆范文16179┆专题┆先进事迹 教师主要事迹┆范文18218┆专题┆先进事迹 财务领导先进事迹┆范文18570┆专题┆先进事迹 社区党支部书记先进事迹┆范文13553┆专题┆先进事迹 电力调度班班长的先进事迹材料┆范文17758┆专题┆先进事迹 社区居民先进事迹┆范文12151┆专题┆先进事迹 银行员工事迹┆范文13073┆专题┆先进事迹 先进教师事迹┆范文10620┆专题┆先进事迹 计量院节能中心先进事迹材料┆范文12994┆专题┆先进事迹 企业小车班司机先进事迹┆范文19893┆专题┆先进事迹 优秀驾驶员的先进事迹材料┆范文10983┆专题┆先进事迹 邮政投递先进事迹┆范文16383┆专题┆先进事迹 幼儿教师先进事迹┆范文10638┆专题┆先进事迹 企业财务人员先进事迹┆范文12261┆专题┆先进事迹 民政局优抚股股长兼退伍办副主任事迹材料┆范文18152┆专题┆先进事迹 邮政部门先进事迹材料┆范文12936┆专题┆先进事迹 驾驶员个人事迹材料┆范文10614┆专题┆先进事迹 社区志愿者服务标兵,先进事迹┆范文17804┆专题┆先进事迹 个人银行账户仅限本人使用,非法出租出借账户属违法行为┆范文18574┆行业-银行金融┆银行网讯 女环卫工作者先进事迹材料┆范文15264┆专题┆先进事迹 某地区优秀班主任工作事迹材料┆范文15359┆专题┆先进事迹 优秀退伍军人事迹┆范文15663┆专题┆先进事迹 优秀教师的先进事迹┆范文12176┆专题┆先进事迹 业务管理中心先进事迹材料┆范文12587┆专题┆先进事迹 优秀人民调解员的先进事迹材料┆范文18642┆专题┆先进事迹 社区党员先进事迹┆范文16034┆专题┆先进事迹 物业保安队长先进事迹┆范文15898┆专题┆先进事迹 志愿者无偿献血事迹材料┆范文15610┆专题┆先进事迹 志愿者个人先进事迹┆范文10878┆专题┆先进事迹 高中班主任的先进事迹材料┆范文10374┆专题┆先进事迹 少年庭庭长的先进事迹材料┆范文11747┆专题┆先进事迹 人民法院副院长先进事迹材料┆范文11014┆专题┆先进事迹 效能办公室先进事迹材料┆范文12324┆专题┆先进事迹 司法局社区矫正股股长事迹材料┆范文11308┆专题┆先进事迹 驾驶员个人先进事迹材料┆范文10234┆专题┆先进事迹 保安人员先进事迹┆范文19195┆专题┆先进事迹 普通邮递员的先进事迹材料┆范文17053┆专题┆先进事迹 申报县级优秀班主任主要事迹┆范文15288┆专题┆先进事迹 优秀大学生志愿者事迹材料┆范文14966┆专题┆先进事迹 年轻班主任的先进事迹材料┆范文14792┆专题┆先进事迹 教师学雷锋先进事迹┆范文18791┆专题┆先进事迹 优秀班组先进事迹报告┆范文19660┆专题┆先进事迹 事务科建设满意科室先进事迹材料┆范文14182┆专题┆先进事迹 税管科征收管理股长个人事迹材料┆范文13060┆专题┆先进事迹 医院心内科先进事迹材料┆范文10167┆专题┆先进事迹 公司财务部先进事迹┆范文17289┆专题┆先进事迹 财务先进事迹报告┆范文12164┆专题┆先进事迹 社区干部先进事迹┆范文11538┆专题┆先进事迹